maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFK25N90
Référence fabricant | IXFK25N90 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFK25N90 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFK25N90 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264AA (IXFK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK25N90 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFK25N90-FT |
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Xilinx Inc.
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
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EP20K100EBI356-2X
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