maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFK64N50Q3
Référence fabricant | IXFK64N50Q3 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFK64N50Q3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFK64N50Q3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 64A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6950pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1000W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264AA (IXFK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK64N50Q3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFK64N50Q3-FT |
APT11F80S
Microsemi Corporation
APT14F100S
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A3P1000-2FGG484I
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XC4020E-4HQ208I
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XC7VX690T-1FFG1930C
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A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
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EP4SGX230HF35C2
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