maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFK150N30P3
Référence fabricant | IXFK150N30P3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFK150N30P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, Polar3™ |
IXFK150N30P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 150A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264AA (IXFK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK150N30P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFK150N30P3-FT |
APT15F60S
Microsemi Corporation
APT17F100S
Microsemi Corporation
APT17F80S
Microsemi Corporation
APT17N80SC3G
Microsemi Corporation
APT18F60S
Microsemi Corporation
APT20F50S
Microsemi Corporation
APT20M38SVFRG
Microsemi Corporation
APT20N60SC3G
Microsemi Corporation
APT23F60S
Microsemi Corporation
APT24F50S
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel