maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTR170P10P
Référence fabricant | IXTR170P10P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTR170P10P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarP™ |
IXTR170P10P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 108A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 85A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 312W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS247™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS247™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTR170P10P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTR170P10P-FT |
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IXYS
IXFN66N50Q2
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A3P1000-FGG256
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5SGXMB6R2F40I2LN
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