maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTN120N25
Référence fabricant | IXTN120N25 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTN120N25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MegaMOS™ |
IXTN120N25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 730W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN120N25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTN120N25-FT |
IXFN32N80P
IXYS
IXFN400N15X3
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LFXP3C-3TN100C
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Xilinx Inc.
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M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel