maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFN50N120SK
Référence fabricant | IXFN50N120SK |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN50N120SK |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXFN50N120SK Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN50N120SK Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN50N120SK-FT |
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