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IXYS IXFN50N120SK
- Numéro de pièce MFG
- IXFN50N120SK
- quantité disponible
- 64320 Pièces
- Prix de référence
- USD 47.7312
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- IXYS
- Brève description
- - MOSFET N-CH
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IXFN50N120SK.pdf
IXFN50N120SK Caractéristiques
| Référence fabricant | IXFN50N120SK |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IXFN50N120SK |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| IXFN50N120SK Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
| Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFN50N120SK Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IXFN50N120SK-FT |
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