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IXYS IXFH80N08

Numéro de pièce MFG
IXFH80N08
quantité disponible
49800 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXFH80N08.pdf
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IXFH80N08 Caractéristiques

Référence fabricant IXFH80N08
Numéro de pièce future FT-IXFH80N08
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
IXFH80N08 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247AD (IXFH)
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH80N08 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFH80N08-FT

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