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IXYS IXFN66N50Q2

Name: IXFN66N50Q2
Brand: IXYS
SKU: IXFN66N50Q2
Availability: InStock
Rating: 4.6 (479 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFN66N50Q2

quantité disponible: 30510 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFN66N50Q2.pdf

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IXFN66N50Q2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFN66N50Q2
Numéro de pièce future	FT-IXFN66N50Q2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFN66N50Q2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	199nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	735W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-227B
Paquet / caisse	SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN66N50Q2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFN66N50Q2-FT

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