maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTF1N400
Référence fabricant | IXTF1N400 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTF1N400 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTF1N400 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 4000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paquet / caisse | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTF1N400 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTF1N400-FT |
IXFN64N50PD2
IXYS
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10M08SAU169A7G
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A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
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