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Référence fabricant | IXGN200N60B3 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGN200N60B3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX3™ |
IXGN200N60B3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300A |
Puissance - Max | 830W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGN200N60B3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGN200N60B3-FT |
APT100GT120JRDQ4
Microsemi Corporation
APT50GF120JRDQ3
Microsemi Corporation
APT100GT60JRDQ4
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APT100GT60JR
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APT150GN60J
Microsemi Corporation
APT150GN120J
Microsemi Corporation
APT80GP60J
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APT35GP120J
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APT75GT120JU2
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XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
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A54SX32A-2PQG208
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M1AGL250V5-VQG100
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10AX022E3F29I2SG
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A54SX32A-2TQ100I
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LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
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EP1SGX25FF1020C5
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