maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APT45GP120J
Référence fabricant | APT45GP120J |
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Numéro de pièce future | FT-APT45GP120J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APT45GP120J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 329W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.94nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT45GP120J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT45GP120J-FT |
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120G
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APTGT100DA60T1G
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