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IXYS IXFX30N110P

Name: IXFX30N110P
Brand: IXYS
SKU: IXFX30N110P
Price: 18.904 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (542 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFX30N110P

quantité disponible: 26260 Pièces

Prix de référence: USD 18.904

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFX30N110P.pdf

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IXFX30N110P Caractéristiques

Référence fabricant	IXFX30N110P
Numéro de pièce future	FT-IXFX30N110P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™, PolarP2™
IXFX30N110P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	960W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PLUS247™-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX30N110P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFX30N110P-FT

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