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IXYS IXFX120N65X2

Name: IXFX120N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFX120N65X2
Price: 14.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (537 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFX120N65X2

quantité disponible: 35600 Pièces

Prix de référence: USD 14.504

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFX120N65X2.pdf

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IXFX120N65X2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFX120N65X2
Numéro de pièce future	FT-IXFX120N65X2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFX120N65X2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	225nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15500pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PLUS247™-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX120N65X2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFX120N65X2-FT

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