maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFX140N30P
Référence fabricant | IXFX140N30P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFX140N30P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFX140N30P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 140A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1040W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX140N30P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFX140N30P-FT |
IXTA260N055T2
IXYS
IXTA26P10T
IXYS
IXTA28P065T
IXYS
IXTA2R4N120P
IXYS
IXTA300N04T2
IXYS
IXTA32N20T
IXYS
IXTA32P05T
IXYS
IXTA32P20T
IXYS
IXTA34N65X2
IXYS
IXTA3N100P
IXYS
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel