maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTA32P20T
Référence fabricant | IXTA32P20T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTA32P20T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchP™ |
IXTA32P20T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 32A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (IXTA) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA32P20T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTA32P20T-FT |
IXTA08N100D2
IXYS
IXTA80N10T
IXYS
IXFA4N100Q-TRL
IXYS
IXTA96P085TTRL
IXYS
IXTA36N30P
IXYS
IXTA6N50D2
IXYS
IXTA180N10T
IXYS
IXTA130N10T
IXYS
IXTA36P15P
IXYS
IXTA96P085T
IXYS
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel