maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTA180N10T
Référence fabricant | IXTA180N10T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTA180N10T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMV™ |
IXTA180N10T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (IXTA) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA180N10T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTA180N10T-FT |
2N7002-G
Microchip Technology
TP5322K1-G
Microchip Technology
TN5335K1-G
Microchip Technology
TN2130K1-G
Microchip Technology
TP2104K1-G
Microchip Technology
LND150K1-G
Microchip Technology
DN3135K1-G
Microchip Technology
TP2540N8-G
Microchip Technology
TN2540N8-G
Microchip Technology
LND150N8-G
Microchip Technology
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel