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Référence fabricant | TP2540N8-G |
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Numéro de pièce future | FT-TP2540N8-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TP2540N8-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 400V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 125mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-243AA (SOT-89) |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP2540N8-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TP2540N8-G-FT |
PSMN012-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN013-100YSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN014-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN019-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN023-40YLCX
NXP USA Inc.
PSMN030-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN039-100YS,115
Nexperia USA Inc.
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel