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IXYS IXFT320N10T2

Name: IXFT320N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFT320N10T2
Price: 9.664536 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (122 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFT320N10T2

quantité disponible: 26820 Pièces

Prix de référence: USD 9.664536

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFT320N10T2.pdf

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IXFT320N10T2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFT320N10T2
Numéro de pièce future	FT-IXFT320N10T2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFT320N10T2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	320A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	430nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	26000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1000W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-268
Paquet / caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT320N10T2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFT320N10T2-FT

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