maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFK170N10
Référence fabricant | IXFK170N10 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFK170N10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFK170N10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 170A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 515nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264AA (IXFK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK170N10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFK170N10-FT |
IXFB210N30P3
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
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EP1M350F780C6
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