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IXYS IXFR58N20

Name: IXFR58N20
Brand: IXYS
SKU: IXFR58N20
Price: 9.131736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (458 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFR58N20

quantité disponible: 80730 Pièces

Prix de référence: USD 9.131736

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFR58N20.pdf

IXFR58N20 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFR58N20
Numéro de pièce future	FT-IXFR58N20
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFR58N20 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ISOPLUS247™
Paquet / caisse	ISOPLUS247™
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFR58N20 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFR58N20-FT

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