maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFX40N90P
Référence fabricant | IXFX40N90P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFX40N90P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFX40N90P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 960W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX40N90P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFX40N90P-FT |
IXTA152N085T
IXYS
IXTA15P15T
IXYS
IXTA160N075T
IXYS
IXTA160N085T
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IXTA180N055T
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IXTA180N085T
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IXTA200N075T
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IXTA200N085T
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
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Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
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