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IXYS IXFX360N10T

Name: IXFX360N10T
Brand: IXYS
SKU: IXFX360N10T
Price: 6.9208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (487 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFX360N10T

quantité disponible: 35970 Pièces

Prix de référence: USD 6.9208

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: GigaMOS™ HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFX360N10T.pdf

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IXFX360N10T Caractéristiques

Référence fabricant	IXFX360N10T
Numéro de pièce future	FT-IXFX360N10T
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	GigaMOS™ HiPerFET™
IXFX360N10T Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	360A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	525nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	33000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PLUS247™-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX360N10T Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFX360N10T-FT

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