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IXYS IXFK120N65X2

Numéro de pièce MFG
IXFK120N65X2
quantité disponible
84310 Pièces
Prix de référence
USD 14.504
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFK120N65X2 Caractéristiques

Référence fabricant IXFK120N65X2
Numéro de pièce future FT-IXFK120N65X2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
IXFK120N65X2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15500pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-264
Paquet / caisse TO-264-3, TO-264AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFK120N65X2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFK120N65X2-FT

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