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Référence fabricant | APT58M50JCU3 |
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Numéro de pièce future | FT-APT58M50JCU3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT58M50JCU3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 543W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT58M50JCU3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT58M50JCU3-FT |
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