maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT10M11JVRU2
Référence fabricant | APT10M11JVRU2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT10M11JVRU2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT10M11JVRU2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 142A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 71A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 450W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10M11JVRU2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT10M11JVRU2-FT |
APT12057B2LLG
Microsemi Corporation
APT20M38BVRG
Microsemi Corporation
APT20M45BVRG
Microsemi Corporation
APT22F80B
Microsemi Corporation
APT30M85BVRG
Microsemi Corporation
APT24M80B
Microsemi Corporation
APT7F100B
Microsemi Corporation
APT18M100B
Microsemi Corporation
APT11N80BC3G
Microsemi Corporation
APT18M80B
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel