maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT22F80B
Référence fabricant | APT22F80B |
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Numéro de pièce future | FT-APT22F80B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT22F80B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4595pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT22F80B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT22F80B-FT |
PMPB10XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB12UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB27EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB43XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB48EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEX
Nexperia USA Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel