maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT58F50J
Référence fabricant | APT58F50J |
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Numéro de pièce future | FT-APT58F50J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT58F50J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 540W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT58F50J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT58F50J-FT |
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XA6SLX25T-3FGG484Q
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AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
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A42MX16-3PQ100
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EP4CGX22CF19C6N
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