maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLU120NPBF
Référence fabricant | IRLU120NPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRLU120NPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLU120NPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 48W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLU120NPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLU120NPBF-FT |
IPL65R725CFDAUMA1
Infineon Technologies
BSZ036NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0589NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel