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Référence fabricant | BSZ018NE2LSIATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSZ018NE2LSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSZ018NE2LSIATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ018NE2LSIATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSZ018NE2LSIATMA1-FT |
IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R360P7XKSA1
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IPA60R380E6XKSA1
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IPA60R520C6XKSA1
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IPA60R520E6XKSA1
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IPA60R600C6XKSA1
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IPA60R600E6XKSA1
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IPA60R750E6XKSA1
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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