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Référence fabricant | BSZ025N04LSATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSZ025N04LSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSZ025N04LSATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ025N04LSATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSZ025N04LSATMA1-FT |
IPA60R330P6XKSA1
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IPA60R360P7SXKSA1
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
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EP1S20F780C7
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