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Infineon Technologies IRLMS1902TR

Numéro de pièce MFG
IRLMS1902TR
quantité disponible
77460 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLMS1902TR.pdf
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IRLMS1902TR Caractéristiques

Référence fabricant IRLMS1902TR
Numéro de pièce future FT-IRLMS1902TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLMS1902TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Micro6™(TSOP-6)
Paquet / caisse SOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLMS1902TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLMS1902TR-FT

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