maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLMS1902TR
Référence fabricant | IRLMS1902TR |
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Numéro de pièce future | FT-IRLMS1902TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLMS1902TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Micro6™(TSOP-6) |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS1902TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLMS1902TR-FT |
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