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Infineon Technologies IRLML6302TRPBF

Name: IRLML6302TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML6302TRPBF
Price: 0.11228 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (115 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLML6302TRPBF

quantité disponible: 79860 Pièces

Prix de référence: USD 0.11228

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLML6302TRPBF.pdf

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IRLML6302TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLML6302TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRLML6302TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLML6302TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	780mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 4.45V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	97pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	540mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6302TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLML6302TRPBF-FT

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