maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTQ75N10P
Référence fabricant | IXTQ75N10P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTQ75N10P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHT™ |
IXTQ75N10P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ75N10P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTQ75N10P-FT |
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IXYS
IXTP3N110
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Microchip Technology
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Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
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Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel