maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTQ86N20T
Référence fabricant | IXTQ86N20T |
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Numéro de pièce future | FT-IXTQ86N20T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTQ86N20T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 86A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ86N20T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTQ86N20T-FT |
IXTP3N50P
IXYS
IXTP3N60P
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XC7A15T-2FTG256C
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Xilinx Inc.
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AGL600V2-FG144I
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