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Référence fabricant | IRLL024Z |
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Numéro de pièce future | FT-IRLL024Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLL024Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLL024Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLL024Z-FT |
IRLL024ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFL9110TRPBF
Vishay Siliconix
IRLL110TRPBF
Vishay Siliconix
NDT452AP
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IRLL014TRPBF
Vishay Siliconix
IRLL3303TRPBF
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STN1HNK60
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STN2NF10
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STN3N40K3
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FDT457N
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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M1A3P250-1PQG208I
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
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EP1S80F1508C6
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