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Référence fabricant | IRLL110TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRLL110TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRLL110TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLL110TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLL110TRPBF-FT |
FCH023N65S3L4
ON Semiconductor
FCH041N65EFL4
ON Semiconductor
FDMT800152DC
ON Semiconductor
FDMT80060DC
ON Semiconductor
FDMT800100DC
ON Semiconductor
FDMT800120DC
ON Semiconductor
FDMT800150DC
ON Semiconductor
FDMT80080DC
ON Semiconductor
FDMT80040DC
ON Semiconductor
FDMS86369-F085
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel