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ON Semiconductor FCH023N65S3L4

Name: FCH023N65S3L4
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH023N65S3L4
Price: 12.912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (491 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCH023N65S3L4

quantité disponible: 89610 Pièces

Prix de référence: USD 12.912

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 75A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCH023N65S3L4.pdf

FCH023N65S3L4 Caractéristiques

Référence fabricant	FCH023N65S3L4
Numéro de pièce future	FT-FCH023N65S3L4
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperFET® III
FCH023N65S3L4 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 7.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	222nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7160pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	595W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-4L
Paquet / caisse	TO-247-4
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH023N65S3L4 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCH023N65S3L4-FT

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