maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLHS6342TRPBF
Référence fabricant | IRLHS6342TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRLHS6342TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLHS6342TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1019pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-PQFN (2x2) |
Paquet / caisse | 6-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLHS6342TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLHS6342TRPBF-FT |
IXTQ96N25T
IXYS
IXTQ98N20T
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IXTU01N100
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XC7A100T-2FTG256I
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Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
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