maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTU05N100
Référence fabricant | IXTU05N100 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTU05N100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTU05N100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 750mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTU05N100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTU05N100-FT |
IXFQ90N20X3
IXYS
IXTQ10P50P
IXYS
IXFQ22N60P3
IXYS
IXTQ36N50P
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IXFQ10N80P
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IXFQ14N80P
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IXFQ24N60X
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IXFQ50N60X
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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