maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFQ24N60X
Référence fabricant | IXFQ24N60X |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFQ24N60X |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFQ24N60X Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1910pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 400W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ24N60X Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFQ24N60X-FT |
IXTP102N15T
IXYS
IXTP10N60PM
IXYS
IXTP110N055P
IXYS
IXTP110N055T
IXYS
IXTP12N50PM
IXYS
IXTP152N085T
IXYS
IXTP15N20T
IXYS
IXTP160N075T
IXYS
IXTP160N085T
IXYS
IXTP180N055T
IXYS
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel