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IXTU08N100P Image

IXYS IXTU08N100P

Numéro de pièce MFG
IXTU08N100P
quantité disponible
82130 Pièces
Prix de référence
USD 1.700056
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTU08N100P.pdf
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IXTU08N100P Caractéristiques

Référence fabricant IXTU08N100P
Numéro de pièce future FT-IXTU08N100P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTU08N100P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-251
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTU08N100P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTU08N100P-FT

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