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Infineon Technologies IRG8CH137K10F
- Numéro de pièce MFG
- IRG8CH137K10F
- quantité disponible
- 88420 Pièces
- Prix de référence
- USD 12.391336
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - IGBT CHIP WAFER
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Simples
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IRG8CH137K10F.pdf
IRG8CH137K10F Caractéristiques
| Référence fabricant | IRG8CH137K10F |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IRG8CH137K10F |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| IRG8CH137K10F Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | - |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
| Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 150A |
| Puissance - Max | - |
| Énergie de commutation | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de la porte | 820nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 115ns/570ns |
| Condition de test | 600V, 150A, 2 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | Die |
| Package d'appareils du fournisseur | Die |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRG8CH137K10F Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IRG8CH137K10F-FT |
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