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IRG8CH137K10F Image

Infineon Technologies IRG8CH137K10F

Numéro de pièce MFG
IRG8CH137K10F
quantité disponible
88420 Pièces
Prix de référence
USD 12.391336
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT CHIP WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRG8CH137K10F.pdf
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IRG8CH137K10F Caractéristiques

Référence fabricant IRG8CH137K10F
Numéro de pièce future FT-IRG8CH137K10F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRG8CH137K10F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Courant - collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 150A
Puissance - Max -
Énergie de commutation -
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 820nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 115ns/570ns
Condition de test 600V, 150A, 2 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse Die
Package d'appareils du fournisseur Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRG8CH137K10F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRG8CH137K10F-FT

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