maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / DGTD65T60S2PT
Référence fabricant | DGTD65T60S2PT |
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Numéro de pièce future | FT-DGTD65T60S2PT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DGTD65T60S2PT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 180A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
Puissance - Max | 428W |
Énergie de commutation | 920µJ (on), 530µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 95nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 42ns/142ns |
Condition de test | 400V, 60A, 7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 205ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGTD65T60S2PT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DGTD65T60S2PT-FT |
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