maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IKW50N65EH5XKSA1
Référence fabricant | IKW50N65EH5XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IKW50N65EH5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchStop™ |
IKW50N65EH5XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 275W |
Énergie de commutation | 1.5mJ (on), 500µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 120nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 25ns/172ns |
Condition de test | 400V, 50A, 12 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 81ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IKW50N65EH5XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IKW50N65EH5XKSA1-FT |
IKW40N120T2FKSA1
Infineon Technologies
IGW60T120FKSA1
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IKW40N120H3FKSA1
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XC3S400-4TQG144I
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EP4CE30F23I8LN
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EP4CGX30CF23C7
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EP4SE530H35C3
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XC7A200T-3FB676E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F780C7
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