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NGTD21T65F2WP Image

ON Semiconductor NGTD21T65F2WP

Numéro de pièce MFG
NGTD21T65F2WP
quantité disponible
27800 Pièces
Prix de référence
USD 2.047536
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NGTD21T65F2WP.pdf
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NGTD21T65F2WP Caractéristiques

Référence fabricant NGTD21T65F2WP
Numéro de pièce future FT-NGTD21T65F2WP
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NGTD21T65F2WP Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Courant - collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 45A
Puissance - Max -
Énergie de commutation -
Type d'entrée Standard
Charge de la porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse Die
Package d'appareils du fournisseur Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NGTD21T65F2WP Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NGTD21T65F2WP-FT

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