maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / NGTD21T65F2WP
Référence fabricant | NGTD21T65F2WP |
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Numéro de pièce future | FT-NGTD21T65F2WP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTD21T65F2WP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
Puissance - Max | - |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | - |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD21T65F2WP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTD21T65F2WP-FT |
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