maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IRG7CH81K10EF-R
Référence fabricant | IRG7CH81K10EF-R |
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Numéro de pièce future | FT-IRG7CH81K10EF-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRG7CH81K10EF-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Puissance - Max | - |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 745nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 70ns/330ns |
Condition de test | 600V, 150A, 1 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG7CH81K10EF-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRG7CH81K10EF-R-FT |
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