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Infineon Technologies IRG7CH37K10EF

Numéro de pièce MFG
IRG7CH37K10EF
quantité disponible
17980 Pièces
Prix de référence
USD 1.738464
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT CHIP WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRG7CH37K10EF Caractéristiques

Référence fabricant IRG7CH37K10EF
Numéro de pièce future FT-IRG7CH37K10EF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRG7CH37K10EF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 15A
Courant - collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A
Puissance - Max -
Énergie de commutation -
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 80nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 28ns/122ns
Condition de test 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse Die
Package d'appareils du fournisseur Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRG7CH37K10EF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRG7CH37K10EF-FT

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