maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IRG7CH37K10EF
Référence fabricant | IRG7CH37K10EF |
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Numéro de pièce future | FT-IRG7CH37K10EF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRG7CH37K10EF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
Puissance - Max | - |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 80nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 28ns/122ns |
Condition de test | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG7CH37K10EF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRG7CH37K10EF-FT |
DGTD65T50S1PT
Diodes Incorporated
NGTD14T65F2WP
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NGTD28T65F2WP
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NGTD17T65F2WP
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XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84
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