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Référence fabricant | IRG5U150HF12B |
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Numéro de pièce future | FT-IRG5U150HF12B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRG5U150HF12B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 260A |
Puissance - Max | 1100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | POWIR® 62 Module |
Package d'appareils du fournisseur | POWIR® 62 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG5U150HF12B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRG5U150HF12B-FT |
FZ1500R33HL3BPSA1
Infineon Technologies
FZ1600R12KF4S1NOSA1
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FZ1600R12KL4CNOSA1
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FZ1600R17HP4B2BOSA2
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FZ1600R17HP4HOSA2
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FZ1600R17KF6CB2S2NOSA1
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FZ1800R17KE3B2NOSA1
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FZ2400R12HE4PB9HPSA1
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A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
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AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
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5SGXMB6R1F43C2LN
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XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
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EP1C4F400C8
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