maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1600R17KF6CB2NOSA1
Référence fabricant | FZ1600R17KF6CB2NOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FZ1600R17KF6CB2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ1600R17KF6CB2NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2600A |
Puissance - Max | 12500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 105nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1600R17KF6CB2NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1600R17KF6CB2NOSA1-FT |
FS200R12PT4PBOSA1
Infineon Technologies
FS200T12A1T4BOSA1
Infineon Technologies
FS20R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS20R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
FS20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FS20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS20R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
FS20R06XL4BOMA1
Infineon Technologies
FS225R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS225R12KE4BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel