maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1600R17KE3B2NOSA1
Référence fabricant | FZ1600R17KE3B2NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FZ1600R17KE3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
FZ1600R17KE3B2NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1600R17KE3B2NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1600R17KE3B2NOSA1-FT |
FS200R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS200R12PT4PBOSA1
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FS200T12A1T4BOSA1
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FS20R06VE3B2BOMA1
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FS20R06VE3BOMA1
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FS20R06W1E3B11BOMA1
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FS225R12KE3BOSA1
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A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
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AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
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10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation